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GEN

Sku: 407644

GEN Transistor N. Pa 100V 30A 200W TO3*181

Amplificadores audio de la alta energía del transistor de energía del silicio
$ 5.690

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GEN Transistor N. Pa 100V 30A 200W TO3*181

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Características
Detalles
Corriente de colector: 30 A
Colector para basar voltaje: 100 V
Colector al voltaje del emisor: 100 V
Configuración: Base común
Corriente de colector continua: 30 A
Disipación del dispositivo: 200 W
Diámetro: 22.2 milímetros
Dimensiones: 22.2 diámetro x 8.89 H milímetro
Emisor para basar voltaje: 4 V
Altura: 0.35 " (8.89m m)
Material: Silicio
Tipo material: Silicio
Aumento actual de C.C. del máximo: 100
Temperatura de funcionamiento máximo: +200 °C
Aumento actual de C.C. del mínimo: 25 mA
Temperatura de funcionamiento mínima: -65 °C
Tipo del montaje: A través del agujero
Número de elementos por viruta: 1
Número de pernos: 3
Frecuencia de funcionamiento: 2 Megaciclo
Tipo del paquete: TO-3
Polaridad: NPN
Disipación de la energía: 200 W
Tipo primario: Silicio
Jefe del producto: Transistor de energía del silicio
Resistencia, termal, ensambladura al caso: 0.875 °C/W
Series: Serie del transistor
Rango de operación de la temperatura: -65 +200 °C
Gama de temperaturas, ensambladura, funcionando: -65 +200 °C
Polaridad del transistor: NPN
Tipo del transistor: NPN
Tipo: Amplificador audio, energía
Código del UPC: 768249080718
Voltaje, interrupción, colector al emisor: 100 V
Voltaje, colector al emisor, saturación: 0.8 V
Voltaje, saturación, base al emisor: 1.3 V
Descripción Técnica
Descripción Técnica
  • Ancho: 0.22
  • Alto: 0.035
  • Material: Silicio
  • Peso: 0.001 kg
  • Tipo: TRANSISTOR
  • Modelo: SM
  • Color: PLATEADO
  • Marca: GEN
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